GaN Systems
發(fà)布(bù)日(rì)期(qī)：2018-11-15 浏覽次(cì)數：167314
品牌(pái)介紹
GaN Systems 是(shì)一(yī)家(jiā)總(zǒng)部(bù)坐落于(yú)加拿大(dà)渥太華的(de)功率器件(jiàn)半导體(tǐ)设計(jì)公(gōng)司。公(gōng)司專注于(yú)氮化(huà)镓功率器件(jiàn)的(de)研發(fà)，其(qí)産品充分(fēn)實(shí)現(xiàn)了(le)氮化(huà)镓材料在(zài)功率轉(zhuǎn)换和(hé)控制應(yìng)用(yòng)中(zhōng)的(de)優勢。为克(kè)服矽器件(jiàn)在(zài)開(kāi)關(guān)速度(dù)、温(wēn)度(dù)、電(diàn)壓和(hé)電(diàn)流方(fāng)面(miàn)的(de)瓶(píng)頸，GaN Systems研發(fà)出(chū)全(quán)功率范圍的(de)氮化(huà)镓功率開(kāi)關(guān)管(guǎn)，産品廣泛應(yìng)用(yòng)于(yú)通(tòng)信電(diàn)源、工業電(diàn)源及(jí)交通(tòng)電(diàn)源等市(shì)场(chǎng)。
GaN Systems独特(tè)的(de)lsland Technology®技術(shù)革(gé)命性(xìng)的(de)提(tí)升(shēng)了(le)産品成(chéng)本、性(xìng)能(néng)和(hé)可(kě)量産性(xìng)，使芯片(piàn)更(gèng)小、更(gèng)高(gāo)效。Fabless模式便于(yú)GaN Systems借(jiè)助更(gèng)多(duō)的(de)多(duō)代工資源，辅以其(qí)他(tā)創新(xīn)手(shǒu)段(duàn)，得以使任何设計(jì)方(fāng)案(àn)都能(néng)容易采用(yòng)他(tā)们(men)的(de)氮化(huà)镓器件(jiàn)。GaN Systems擁有(yǒu)一(yī)个(gè)有(yǒu)着數十(shí)年(nián)的(de)行業经验(yàn)和(hé)成(chéng)功記(jì)录(lù)的(de)管(guǎn)理(lǐ)及(jí)设計(jì)团(tuán)队。公(gōng)司将繼續致(zhì)力于(yú)拓展(zhǎn)氮化(huà)镓器件(jiàn)在(zài)功率轉(zhuǎn)换領域的(de)更(gèng)多(duō)應(yìng)用(yòng)。
官网(wǎng)：www.gansystems.com
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産品介紹
100V 增強(qiáng)型氮化(huà)镓晶體(tǐ)管(guǎn)
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産品編号(hào) |
IDS |
RDS(on) |
QG |
外(wài)形尺(chǐ)寸(cùn) |
封(fēng)裝(zhuāng)散(sàn)热(rè) |
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GS61004B |
38 A |
16 mΩ |
3.3 nC |
4.6 x 4.4 x 0.51 毫米 |
底部(bù) |
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GS61008P |
90 A |
7 mΩ |
8 nC |
7.6 x 4.6 x 0.51 毫米 |
底部(bù) |
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GS61008T |
90 A |
7 mΩ |
8 nC |
7.0 x 4.0 x 0.54 毫米 |
頂部(bù) |
650V 增強(qiáng)型氮化(huà)镓晶體(tǐ)管(guǎn)
産品編号(hào)
IDS
RDS(on)
QG
外(wài)形尺(chǐ)寸(cùn)
封(fēng)裝(zhuāng)散(sàn)热(rè)
GS-065-004-1-L
4 A
450 mΩ
0.8 nC
5.0 x 6.0 x 0.85 毫米
底部(bù)
GS-065-008-1-L
8 A
225 mΩ
1.5 nC
5.0 x 6.0 x 0.85 毫米
底部(bù)
GS-065-011-1-L
11 A
150 mΩ
2.2 nC
5.0 x 6.0 x 0.85 毫米
底部(bù)
GS-065-011-2-L
11 A
150 mΩ
2.2 nC
8.0 x 8.0 x 0.9 毫米
底部(bù)
GS-065-018-2-L
18 A
78 mΩ
4 nC
8.0 x 8.0 x 0.9 毫米
底部(bù)
GS-065-030-2-L
30 A
50 mΩ
6.7 nC
8.0 x 8.0 x 0.9 毫米
底部(bù)
GS66502B
7.5 A
200 mΩ
1.6 nC
5.0 x 6.6 x 0.51 毫米
底部(bù)
GS66504B
15 A
100 mΩ
3.3 nC
5.0 x 6.6 x 0.51 毫米
底部(bù)
GS66506T
22.5 A
67 mΩ
4.5 nC
5.6 x 4.5 x 0.54 毫米
底部(bù)
GS66508B
30 A
50 mΩ
6.1 nC
7.0 x 8.4 x 0.51 毫米
底部(bù)
GS66508T
30 A
50 mΩ
6.1 nC
7.0 x 4.5 x 0.54 毫米
頂部(bù)
GS-065-060-5-B-A
60 A
25 mΩ
14 nC
11.0 x 9.0 x 0.63 毫米
底部(bù)
GS-065-060-5-T-A
60 A
25 mΩ
14 nC
9.0 x 7.6 x 0.69 毫米
頂部(bù)
GS-065-060-3-B
60 A
25 mΩ
14 nC
11.0 x 9.0 x 0.45 毫米
底部(bù)
GS66516B
60 A
25 mΩ
14.2 nC
11.0 x 9.0 x 0.54 毫米
底部(bù)
GS-065-060-3-T
60 A
25 mΩ
14 nC
9.2 x 7.8 x 0.49 毫米
頂部(bù)
GS66516T
60 A
25 mΩ
14.2 nC
9.0 x 7.6 x 0.54 毫米
頂部(bù)
GS-065-150-1-D2
150 A
10 mΩ
33 nC
12.6 x 5.6 x 0.3 毫米
晶片(piàn)
- 上(shàng)一(yī)篇(piān)：MagnaChip